全球功率半導體領域迎來重要合作動態。德國英飛凌科技與日本羅姆半導體近日正式簽署合作備忘錄，雙方將圍繞碳化硅（SiC）功率器件封裝技術建立深度合作機制。這一舉措被視為行業應對供應鏈挑戰、提升客戶靈活性的重要突破。
圖：英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁Peter Wawer（左）與羅姆董事兼常務執行官伊野和英（右）出席簽約儀式
根據協議內容，兩家企業將互為對方特定SiC功率器件封裝的第二供應商。這意味著未來客戶可在英飛凌與羅姆的對應產品間實現無縫切換，顯著降低供應鏈風險。具體技術合作方面，羅姆將采用英飛凌開發的2.3毫米標準高度SiC頂部散熱封裝平臺，而英飛凌則計劃導入羅姆的半橋結構"DOT-247"模塊并開發兼容封裝方案。
此次合作不僅限于現有技術。雙方明確表示，未來將逐步擴大合作范圍，把硅基（Si）功率器件以及氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體材料的封裝技術納入合作框架。這種跨材料、跨結構的全面合作模式，在功率半導體行業尚屬首次。
行業分析指出，隨著新能源汽車、光伏儲能等領域的快速發展，功率器件市場需求持續攀升。英飛凌與羅姆通過建立互為備份的供應鏈體系，既能保障客戶供應穩定性，又能通過技術共享加速產品迭代。特別是SiC材料在高壓、高頻場景中的優勢日益凸顯，兩家企業的技術協同或將推動整個產業鏈的成本優化與效率提升。
