國際固態(tài)電路會議（ISSCC）即將于明年2月15日至19日在美國舊金山拉開帷幕，這場以企業(yè)研究人員為主力參會者的技術(shù)盛會，歷來是存儲領(lǐng)域前沿成果的集中展示平臺。據(jù)行業(yè)消息透露，三星電子與SK海力士兩大存儲巨頭均計(jì)劃在此次會議上發(fā)布重磅新品，相關(guān)技術(shù)已接近量產(chǎn)階段。

三星電子此次將重點(diǎn)展示其最新研發(fā)的HBM4存儲芯片。該產(chǎn)品延續(xù)了36GB的超大容量設(shè)計(jì)，但帶寬指標(biāo)較上月展示的版本實(shí)現(xiàn)顯著突破，達(dá)到3.3TB/s。技術(shù)團(tuán)隊(duì)通過優(yōu)化堆疊結(jié)構(gòu)與接口設(shè)計(jì)，在提升傳輸速度的同時(shí)降低了能耗。特別值得關(guān)注的是，三星在每個(gè)數(shù)據(jù)通道中引入了硅通孔（TSV）路徑的對準(zhǔn)信號（TDQS）自動校準(zhǔn)技術(shù)，這項(xiàng)創(chuàng)新可有效提升高速傳輸時(shí)的信號精度，尤其針對AI大模型訓(xùn)練等數(shù)據(jù)吞吐量巨大的應(yīng)用場景進(jìn)行了針對性優(yōu)化。

競爭對手SK海力士則采取雙線并進(jìn)的策略，計(jì)劃同時(shí)發(fā)布兩款革命性存儲產(chǎn)品。其新一代LPDDR6內(nèi)存將單Pin速率推升至14.4Gb/s，通過搭載基于低壓差穩(wěn)壓器（LDO）的WCK時(shí)鐘分配架構(gòu)，確保在超高速運(yùn)行狀態(tài)下的信號穩(wěn)定性。與前代LPDDR5X相比，性能提升幅度相當(dāng)可觀。另一款GDDR7顯存則展現(xiàn)出更強(qiáng)的技術(shù)突破性，單Pin速度最高可達(dá)48Gb/s，容量配置為24Gb。該產(chǎn)品的核心創(chuàng)新在于支持通道分割技術(shù)，可將單個(gè)數(shù)據(jù)通道拆分為兩個(gè)獨(dú)立部分，實(shí)現(xiàn)讀寫操作的同步進(jìn)行，這種設(shè)計(jì)對GPU加速、AI邊緣計(jì)算以及高分辨率游戲等場景具有重要價(jià)值。

行業(yè)分析師指出，兩大廠商選擇在ISSCC這個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)集中發(fā)布新品并非偶然。作為全球存儲技術(shù)的重要風(fēng)向標(biāo)，該會議的參會者構(gòu)成決定了其展示內(nèi)容具有極強(qiáng)的產(chǎn)業(yè)指向性。企業(yè)研究人員占比超過七成的參會結(jié)構(gòu)，使得這里成為新技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室走向量產(chǎn)前的關(guān)鍵展示窗口。隨著AI算力需求的持續(xù)攀升，存儲芯片的性能競賽已進(jìn)入白熱化階段，此次展示的技術(shù)突破或?qū)⒅匦露x高端存儲市場的競爭格局。