在人工智能技術(shù)迅猛發(fā)展的當(dāng)下，存儲性能已成為制約大規(guī)模AI應(yīng)用的關(guān)鍵因素之一。全球存儲巨頭SK海力士近日宣布，正與英偉達(dá)深度合作開發(fā)下一代AI存儲解決方案，旨在突破現(xiàn)有技術(shù)瓶頸，為AI運算提供更高效的數(shù)據(jù)支撐。

據(jù)SK海力士副社長Kim Cheon-sung在2025人工智能半導(dǎo)體未來技術(shù)會議上透露，雙方聯(lián)合研發(fā)的代號為"AI-N P"（性能型AI NAND）的次世代存儲方案，通過重構(gòu)NAND與控制器的架構(gòu)設(shè)計，可顯著提升數(shù)據(jù)傳輸效率。該技術(shù)作為"AIN Family"產(chǎn)品線的重要一環(huán)，專門針對大規(guī)模AI推演環(huán)境優(yōu)化，能夠滿足其對數(shù)據(jù)吞吐量的嚴(yán)苛要求。

技術(shù)參數(shù)顯示，首款基于PCIe Gen 6接口的產(chǎn)品計劃于2026年底問世，其每秒讀寫次數(shù)（IOPS）將達(dá)到2500萬次，較當(dāng)前數(shù)據(jù)中心主流企業(yè)級SSD的300萬次性能提升約8至10倍。更值得關(guān)注的是，第二代產(chǎn)品已進(jìn)入研發(fā)階段，目標(biāo)是在2027年底將性能推高至1億IOPS，實現(xiàn)現(xiàn)有產(chǎn)品30倍以上的跨越式發(fā)展。

為構(gòu)建完整的AI存儲生態(tài)，SK海力士正在同步推進(jìn)三條技術(shù)路線：除性能導(dǎo)向的AI-N P外，還包含帶寬優(yōu)化的AI-N B和高容量的AI-N D。其中與閃迪合作的AI-N B項目取得重要進(jìn)展，這種被稱為HBF（高帶寬閃存）的技術(shù)通過堆疊NAND閃存顆粒，原理類似HBM內(nèi)存架構(gòu)，可大幅擴展數(shù)據(jù)傳輸帶寬。據(jù)Kim Cheon-sung透露，AI-N B的Alpha版本將于2026年1月發(fā)布，2027年推出正式評估樣品。

目前，SK海力士與英偉達(dá)正針對AI-N P進(jìn)行聯(lián)合概念驗證，重點優(yōu)化大規(guī)模數(shù)據(jù)吞吐時的能效比。通過針對性改進(jìn)，新方案可有效降低存儲系統(tǒng)處理海量AI數(shù)據(jù)時的延遲，確保GPU算力不受存儲性能制約。這種軟硬件協(xié)同優(yōu)化的模式，為AI數(shù)據(jù)中心和端側(cè)設(shè)備提供了全新的技術(shù)路徑。