在半導體產業的風云變幻中，一場關于第三代半導體材料碳化硅的產業格局重構正在上演。曾經占據全球市場主導地位的美國企業Wolfspeed宣告破產重組，而中國公司天岳先進則憑借技術突破與市場開拓，在國際舞臺上斬獲重量級獎項，成為行業矚目的焦點。

碳化硅材料因其擊穿電場高、熱導率高、抗輻射能力強等特性，被視為半導體領域的“戰略材料”。采用碳化硅制備的半導體器件，不僅能提升設備運行效率，還能顯著降低能耗。在新能源汽車領域，應用碳化硅的逆變器可使特斯拉Model 3的零百加速縮短兩秒，整體能耗降低超過1.2kWh/百公里。然而，長期以來，碳化硅的制備技術被美日歐企業壟斷，品質不穩定、價格高昂、量產困難三大難題，制約著其規模化應用。

這場產業變革的背后，是一位中國材料工程師的執著堅守。1987年，23歲的宗艷民從山東輕工業學院硅酸鹽系畢業后，被分配到濟南燈泡廠擔任技術工程師。2002年，燈泡廠因經營不善倒閉，38歲的他下崗創業，從代理挖掘機起步，逐步建立起覆蓋工程設備銷售、翻新改造的完整業務鏈。技術出身的他，在銷售工程機械的同時，始終保持著對材料科學的探索熱情，甚至在公司大院里搭建了2000平米的實驗室。

2010年，一個關鍵契機改變了宗艷民的創業軌跡。他得知山東大學蔣民華院士團隊成功培育出碳化硅單晶，但產業化進程陷入停滯。作為中國最早研究碳化硅的三個科研團隊之一，蔣院士團隊歷經十年攻關，突破了晶體生長技術，卻因缺乏產業資源難以落地。當時，國內僅有中科院物理所、中國電科46所等少數機構開展相關研究，產業基礎幾乎為零。

碳化硅襯底的制備堪稱“原子級工程”。在2300℃以上的高溫密閉環境中，碳和硅能形成220種晶型，其中僅有一種適用于半導體襯底。研發團隊通過數萬次實驗，不斷調整坩堝結構和保溫材料配置，才穩定控制住晶體生長的溫差。2015年和2017年，天岳先進先后實現4英寸、6英寸碳化硅襯底的量產，但市場開拓依然艱難。

轉機出現在2018年。特斯拉宣布在Model 3主驅逆變器中采用碳化硅MOSFET，引發全球關注；同年，中美科技競爭加劇，海外碳化硅產品斷供風險上升。天岳先進憑借已量產的6英寸產品，獲得無線電探測和通信領域龍頭企業的訂單，營收實現翻倍增長。2019年，華為哈勃投資1.1億元入股，進一步推動了公司的技術升級和市場拓展。

2022年，天岳先進登陸上海科創板，成為“中國碳化硅第一股”。2024年，公司導電型襯底市占率達22.8%，位居全球前三，客戶涵蓋英飛凌、博世、安森美等國際巨頭。今年6月，在日本《電子器件產業新聞》主辦的半導體年度獎評選中，天岳先進從三井化學、三菱材料等日本頂尖企業中脫穎而出，斬獲“半導體電子材料”類金獎，這是該獎項31年來首次授予中國企業。

與天岳先進崛起形成鮮明對比的是，Wolfspeed的破產折射出行業格局的深刻變化。作為全球首個實現8英寸碳化硅襯底量產的企業，Wolfspeed投入數十億美元擴建工廠，卻因歐美新能源汽車市場增速放緩、8英寸產品良率不足（僅40%），導致產能利用率低至19%，單片晶圓成本高達1.7萬美元。而天岳先進通過優化6英寸產品性價比，將單片成本控制在500美元以下，成功截胡市場份額。

在6英寸產品穩固市場的同時，天岳先進已布局8英寸和12英寸產品的研發。2024年11月，公司在慕尼黑半導體展覽會上全球首發了12英寸碳化硅襯底，標志著中國企業在該領域的技術領先地位。宗艷民表示：“下一步，我們將與器件端、外延端企業形成‘聯合艦隊’，重塑產業鏈主導權。”

從燈泡廠工程師到半導體材料領軍者，宗艷民的創業歷程折射出中國企業在關鍵材料領域的突破路徑。通過持續的技術投入、開放的市場合作，以及抓住國際形勢變化帶來的機遇，天岳先進不僅實現了自身發展，更推動了中國碳化硅產業從跟跑到并跑的跨越。