當市場目光被AI高帶寬內存（HBM）的火熱行情吸引時，摩根士丹利最新發布的科技半導體行業報告，為尋求差異化投資機會的投資者指明了新方向。由分析師Daniel Yen與Charlie Chan牽頭的研究團隊，在針對大中華區市場的深度分析中指出，傳統存儲領域正迎來供需格局的重大轉變，當前市場對這一領域的認知仍存在顯著低估。

研究團隊明確表示，傳統存儲的上升周期才剛剛啟動。早在今年第二季度末，該機構就預判供應短缺將推動行業進入"超級周期"，這一判斷現已得到驗證——三季度末合約價格已呈現回升態勢。從歷史周期規律來看，純粹的傳統存儲上行階段通常持續3-4個季度，當前價格動能遠未充分釋放。對于近期市場波動中猶豫是否減倉的投資者，報告直接給出結論：現在退出為時尚早。

報告特別強調，市場對2026年的盈利預期過于保守。分析師指出，當前共識預測可能顯著低估了行業增長潛力，隨著供需緊張持續加劇，相關企業盈利水平有望出現實質性突破。這種判斷基于對產業鏈的深度追蹤：企業級需求爆發正在重塑市場結構，特別是DDR4領域已出現極端分化現象。

在DDR4市場，企業級采購需求激增導致價格談判天平完全傾向供應商。最新數據顯示，2026年一季度合約價格可能暴漲超100%，創下歷史罕見漲幅。這種緊張局面在16Gb規格產品上尤為突出，渠道庫存已接近枯竭狀態。市場監測發現，該規格現貨價格與權威平臺報價出現嚴重背離——實際成交價高達100美元，而DRAMeXchange顯示的基準價僅為45.5美元，這種價差折射出供需失衡的嚴重程度。

Flash產品領域同樣出現連鎖反應。受晶圓價值下降和后端封測成本上升雙重擠壓，NOR Flash供應商開始大規模調整產能配置。研究預測，2026年該產品供應缺口將從目前的低個位數百分比擴大至高個位數區間，直接推動價格在明年一季度上漲超20%。這種轉變揭示出，在先進制程產品吸引市場焦點時，傳統存儲領域正通過結構性調整醞釀新的價格彈性。

值得注意的是，本輪行情與傳統周期存在本質差異。企業級需求占比提升、供應鏈區域化重構、庫存策略調整等多重因素疊加，使得價格波動幅度和持續時間都可能超出歷史經驗。對于投資者而言，這既意味著需要重新評估持倉結構，也預示著在主流賽道之外存在顯著超額收益機會。當前市場對傳統存儲的認知偏差，恰恰構成了價值重估的空間。