存儲行業正經歷一場前所未有的漲價潮，這一趨勢自今年四季度以來愈發顯著。SK海力士率先宣布，四季度DRAM和NAND的合同價格最高上調30%，隨后閃迪更是將NAND閃存合約價大幅上調約50%，創下本輪漲幅之最。這一連串的漲價動作，迅速在消費電子市場引發連鎖反應，智能手機等終端產品的價格預期也隨之水漲船高。

業內人士分析指出，本輪存儲芯片漲價的根源在于人工智能技術的迅猛發展。AI服務器的旺盛需求，促使存儲原廠將更多產能轉向高端產品，如HBM和DDR5，導致普通型存儲芯片LPDDR4的供應出現短缺。集邦咨詢資深研究副總經理吳雅婷表示，預計本輪漲價周期將比上一輪更長，智能手機等終端產品的價格也將因此上調。

在深圳華強北電子市場，存儲產品的現貨供應緊張狀況尤為明顯。商家們普遍反映，自10月份以來，存儲產品價格“一天一個價”，市場情緒復雜多變。有商家坦言，從業十幾年從未見過如此短時間內的巨大漲幅。時創意董事長倪黃忠表示，本輪漲價完全超出預期，主要源于AI規模化應用帶來的結構性缺貨，存儲市場邏輯因此被徹底重構。

AI技術的持續進步，對內存帶寬和容量提出了更高要求。據統計，一臺AI服務器對DRAM的需求是普通服務器的8倍，對NAND的需求則高達3倍。這一需求激增，直接推動了存儲原廠的結構性產能轉移。三星、SK海力士和美光等存儲巨頭紛紛削減傳統DRAM產能，如LPDDR4，轉而生產HBM和DDR5等高附加值產品。

這種產能轉移導致智能手機等終端產品所需的LPDDR4等傳統DRAM供應緊張，價格漲幅預期隨之上升。集邦咨詢數據顯示，2025年LPDDR4在總LPDDR供應中的占比為39%，預計到2026年將降至26%。相比之下，LPDDR5的供應占比將從2025年的60%快速提升至2026年的73%。吳雅婷表示，由于手機需求與AI需求相互競爭，LPDDR5的供給也將持續緊張，預計明年都將面臨供應緊缺和漲價問題。

存儲芯片價格的上漲，對手機、PC等終端廠商構成了巨大成本壓力。集邦咨詢數據顯示，LPDRAM價格在2025年下半年整體上漲超50%，部分智能手機品牌已因此調漲零售價格。這一趨勢預計將沖擊消費者的升級意愿和換機計劃，導致2026年智能手機和筆記本電腦的出貨增速分別同比下滑至-2%和-3%。

與智能手機和筆記本電腦出貨增速預估下調形成鮮明對比的是，通用服務器和AI服務器對DRAM和NAND Flash的需求將保持高速增長。集邦咨詢數據顯示，2026年，通用服務器對DRAM的需求將同比增長20%，對NAND Flash的需求將同比增長19%；AI服務器對DRAM的需求方面，預計LPDDR需求同比增長15%，RDIMM同比增長21%，對NAND Flash的需求將繼續大漲超70%。

面對AI需求的猛增，存儲市場未來走向備受關注。集邦咨詢報告顯示，預計2026年DRAM市場的供應量將同比增長20%，營收規模將達到3006億美元，同比大漲85%；NAND Flash市場供應量將同比增長21%，營收規模將達到1105億美元，同比漲58%。吳雅婷表示，存儲市場需求復蘇穩健，主要得益于AI應用的增長引擎作用，尤其是服務器市場的驅動。

價格的上漲促使存儲芯片原廠增加資本支出以擴產。集邦咨詢數據顯示，2025年，在AI和HBM的驅動下，三星、SK海力士和美光三大供應商的資本支出同比增長超過80%。預計到2026年，DRAM資本支出將分別增長17%、25%和40%。然而，這些新建產能對2026年的供給貢獻有限。吳雅婷認為，存儲芯片原廠當前擴大資本支出新建產能，但在2026年能進行有效供給產出的量非常少，產能增長效果在2027年底前都將非常有限。