存儲半導體領域正迎來新一輪技術競賽，第六代高帶寬內存（HBM4）的研發尚未完成，第七代產品HBM4E已引發行業巨頭激烈角逐。據業內人士透露，三星電子與SK海力士已將HBM4E的量產時間表鎖定在明年上半年，這款產品將率先應用于英偉達"Rubin"平臺旗艦型號R300等新一代AI加速器。考慮到相關硬件計劃于2027年正式商用，兩家企業正加速推進產品驗證流程，力爭在明年下半年完成品質認證。
市場研究機構預測顯示，HBM4E有望在兩年內占據市場主導地位。興國證券分析師Son In-jun指出，2025年全球HBM需求增速將達77%，2027年雖放緩至68%，但屆時HBM4E將占據總需求的40%。這種增長預期促使頭部企業全面調整戰略布局，從標準化產品轉向定制化解決方案。自HBM4E世代開始，邏輯裸片等核心組件將根據客戶特定需求進行設計制造，這種轉變要求企業同時具備定制化設計能力與先進制程工藝。
在HBM4市場占據先機的SK海力士，已與英偉達敲定明年供貨協議，預計將供應Rubin平臺初期所需HBM4的顯著份額。雖然三星電子也已進入英偉達供應鏈，但具體供貨量仍在協商階段。值得關注的是，三星從HBM4世代開始就采用自家晶圓代工工藝生產邏輯裸片，這種垂直整合模式使其在定制化競爭中積累起獨特優勢。行業專家分析，三星完整的內部供應鏈體系使其能更快響應客戶需求變化。
定制化趨勢正在重塑行業格局。隨著全球科技巨頭加速自主研發AI加速器，對HBM產品的性能參數和封裝形式提出多樣化要求。某半導體企業高管表示，SK海力士憑借與英偉達的深度合作仍具領先優勢，但三星的代工技術靈活性和產能儲備使其在多元化市場需求中更具競爭力。這種判斷基于三星已實現的定制化設計能力與先進制程的有機結合，這種組合在應對非標準訂單時展現出顯著效率優勢。
競爭格局的演變吸引著新參與者入場。美光科技近期宣布與臺積電建立戰略合作伙伴關系，共同開發HBM4E技術。這與SK海力士自HBM4世代就采用臺積電代工的模式形成對比——美光此前在HBM4生產中主要依賴自有DRAM工藝。行業觀察家認為，客戶對高性能定制化產品的需求增長，迫使美光調整技術路線，通過整合臺積電的先進制程能力來強化產品競爭力。這種轉變反映出HBM市場正從技術競爭轉向生態系統競爭的新階段。
