近日，半導體制造領域傳來新動態，臺積電在先進制程推進過程中，針對技術節點微縮至1.4納米（A14）及1納米（A10）時遭遇的制造瓶頸，做出了關鍵決策——放棄采購荷蘭ASML公司單價高達4億美元（按當前匯率約合28.37億元人民幣）的高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機。
從技術層面看，采購ASML的尖端高數值孔徑EUV光刻機本是解決當前制造難題的直接途徑。然而，臺積電并未選擇這一方案，而是將目光投向了“光掩模護膜”技術，以此作為替代，推動2納米等先進制程的研發與生產。
成本因素是臺積電此次決策的核心考量。一臺高數值孔徑EUV光刻機的售價極為高昂，對于臺積電而言，這是一筆巨大的資本投入。媒體分析指出，臺積電認為該設備目前所能帶來的價值，與其高昂的價格并不相符，性價比不高。
基于此，臺積電選擇了成本更低的路徑。具體而言，是在現有的標準EUV光刻機上引入光掩模護膜。這種護膜能夠在光刻過程中保護光掩模免受灰塵等微粒的污染，進而實現更精密的芯片制造。
不過，光掩模護膜方案雖能規避巨額的設備采購費用，但也帶來了新的技術挑戰。使用標準EUV光刻機生產1.4納米和1納米級別的芯片，需要增加曝光次數才能達到所需的精度。這意味著光掩模的使用頻率會大幅上升，不僅會拖慢生產節奏，還可能對芯片的良率產生潛在風險。臺積電需要通過大量的“試錯”來優化生產的可靠性，這無疑是一場技術上的硬仗。
除了成本因素外，高數值孔徑EUV光刻機的供應量限制也是臺積電拒絕采購的重要原因。據了解，ASML公司每年僅能生產五到六臺此類設備。而臺積電為了滿足蘋果等大客戶龐大的需求，需要采購多達30臺標準EUV光刻機。在這種情況下，將巨額資金投入到少數幾臺高數值孔徑EUV光刻機上，顯然不符合臺積電的長期產能規劃。
