第四屆GMIF2025創(chuàng)新峰會(huì)在深圳萬(wàn)麗灣酒店落下帷幕。這場(chǎng)以“AI應(yīng)用，創(chuàng)新賦能”為主題的行業(yè)盛會(huì)，吸引了全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈上下游的領(lǐng)軍企業(yè)、技術(shù)專家與行業(yè)領(lǐng)袖齊聚一堂，共同探討人工智能技術(shù)驅(qū)動(dòng)下存儲(chǔ)技術(shù)的演進(jìn)方向與產(chǎn)業(yè)機(jī)遇。峰會(huì)期間，三星電子副總裁、Memory事業(yè)部首席技術(shù)官Kevin Yoon發(fā)表了題為《智構(gòu)AI未來(lái)：開啟內(nèi)存與存儲(chǔ)新紀(jì)元》的主題演講，深入剖析了AI時(shí)代存儲(chǔ)技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)與突破路徑，并發(fā)布了多項(xiàng)前沿技術(shù)成果。

Kevin Yoon在演講中指出，AI技術(shù)正經(jīng)歷從生成式AI向智能體AI（Agentic AI）的跨越，并最終將邁向物理AI（Physical AI）。當(dāng)前，行業(yè)已正式進(jìn)入智能體AI階段，這種具備自主推理與決策能力的技術(shù)，要求系統(tǒng)在維持多種狀態(tài)的同時(shí)，能夠無(wú)延遲地調(diào)用工具，從而推動(dòng)全球數(shù)據(jù)量與計(jì)算需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。他強(qiáng)調(diào)，智能體AI的推理過程需要數(shù)據(jù)長(zhǎng)時(shí)間留存以獲取最優(yōu)結(jié)果，這直接導(dǎo)致內(nèi)存容量需求激增。數(shù)據(jù)中心正從傳統(tǒng)計(jì)算模式向數(shù)據(jù)密集型計(jì)算轉(zhuǎn)型，存儲(chǔ)技術(shù)已從后臺(tái)支撐設(shè)施轉(zhuǎn)變?yōu)闆Q定AI系統(tǒng)效率與可擴(kuò)展性的核心要素。

面對(duì)傳統(tǒng)存儲(chǔ)架構(gòu)在帶寬需求、功耗控制與延遲管理等方面的多重挑戰(zhàn)，Kevin Yoon公布了三星在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的雙線突破。針對(duì)AI服務(wù)器對(duì)高帶寬的迫切需求，三星已實(shí)現(xiàn)行業(yè)首款24Gb容量GDDR7內(nèi)存的量產(chǎn)，并與領(lǐng)先GPU企業(yè)展開深度合作。該產(chǎn)品采用尖端制程工藝與優(yōu)化電路設(shè)計(jì)，傳輸速率達(dá)42.5Gbps，能效提升超30%，為AI訓(xùn)練與圖形渲染提供了關(guān)鍵支撐。同時(shí)，為解決DRAM容量限制問題，三星自2021年全球首推計(jì)算快速鏈路（CXL）內(nèi)存擴(kuò)展器以來(lái)，持續(xù)引領(lǐng)技術(shù)生態(tài)發(fā)展。目前，其DDR基CXL 2.0產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)，并計(jì)劃于明年推出兼容CXL 3.1與PCIe Gen 6.0的CMM-D解決方案，支持多服務(wù)器實(shí)時(shí)內(nèi)存共享，進(jìn)一步提升數(shù)據(jù)中心的靈活性與擴(kuò)展性。

在存儲(chǔ)領(lǐng)域，三星圍繞性能、密度與散熱三大核心維度展開了系統(tǒng)性創(chuàng)新。針對(duì)PCIe接口代際升級(jí)的技術(shù)挑戰(zhàn)，三星通過優(yōu)化NAND與控制器協(xié)同設(shè)計(jì)，將于2026年初推出PCIe Gen6 SSD產(chǎn)品PM1763。該產(chǎn)品在25W功耗限制下實(shí)現(xiàn)性能翻倍，能效比提升1.6倍，完美適配GPU密集型AI計(jì)算場(chǎng)景。在高密度存儲(chǔ)方面，三星展現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力：2025年已推出128TB U.2接口SSD產(chǎn)品，2026至2027年更計(jì)劃推出1T厚度的EDSFF形態(tài)產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)Gen5平臺(tái)256TB、Gen6平臺(tái)512TB的突破。這一系列成果得益于三星先進(jìn)的32層堆疊封裝技術(shù)與EDSFF形態(tài)的輕薄設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，可在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)密度與能效的雙重優(yōu)化。

針對(duì)高性能存儲(chǔ)帶來(lái)的散熱挑戰(zhàn)，Kevin Yoon表示三星正從傳統(tǒng)風(fēng)冷向液冷等直接冷卻技術(shù)轉(zhuǎn)型。通過將E1.S 8TB SSD厚度從15T縮減至9.5T等形態(tài)優(yōu)化，結(jié)合冷板與外殼間熱阻最小化設(shè)計(jì)，確保下一代存儲(chǔ)產(chǎn)品在滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí)的系統(tǒng)穩(wěn)定性。為滿足AI推理場(chǎng)景中對(duì)小數(shù)據(jù)塊快速訪問的需求，三星提出了“內(nèi)存級(jí)存儲(chǔ)（Memory Class Storage）”這一全新技術(shù)品類。該技術(shù)以GPU主動(dòng)直接存儲(chǔ)（GIDS）為典型應(yīng)用，通過GPU與存儲(chǔ)的直接數(shù)據(jù)交互，大幅降低系統(tǒng)延遲。三星正在研發(fā)的第七代Z-NAND技術(shù)是這一概念的核心載體，其第三代產(chǎn)品將實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的吞吐量表現(xiàn)，在保持超高性能的同時(shí)最大化能效。

峰會(huì)期間，主辦方對(duì)存儲(chǔ)領(lǐng)域過去一年涌現(xiàn)的杰出企業(yè)、創(chuàng)新技術(shù)與優(yōu)秀方案進(jìn)行了評(píng)優(yōu)，并發(fā)布了評(píng)選結(jié)果。作為行業(yè)領(lǐng)軍者，三星半導(dǎo)體憑借在DRAM與NAND領(lǐng)域的重大技術(shù)迭代，榮獲“杰出存儲(chǔ)技術(shù)引領(lǐng)獎(jiǎng)”。評(píng)委會(huì)特別指出，面對(duì)AI爆發(fā)對(duì)高帶寬、高能效存儲(chǔ)的迫切需求，三星率先實(shí)現(xiàn)HBM、DDR5、LPDDR5X及高層堆疊3D NAND等前沿技術(shù)的規(guī)模化量產(chǎn)與應(yīng)用，為大模型訓(xùn)練、數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)及高端智能終端創(chuàng)新提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)底座。

Kevin Yoon在演講結(jié)尾表示，三星通過內(nèi)存與存儲(chǔ)領(lǐng)域的全棧創(chuàng)新，不僅致力于解決AI時(shí)代的數(shù)據(jù)管理難題，更旨在釋放AI技術(shù)的全部潛能。未來(lái)，三星將持續(xù)突破技術(shù)極限，與全球合作伙伴共建存儲(chǔ)生態(tài)，共同開啟AI賦能的智能未來(lái)。