全球功率半導體領域迎來重要合作進展。德國英飛凌科技公司與日本羅姆半導體集團近日正式簽署戰略合作備忘錄，雙方將在碳化硅（SiC）功率器件封裝領域建立深度協作機制。這項合作將通過技術互認與封裝標準兼容，為全球客戶提供更具彈性的供應鏈解決方案。

根據協議內容，兩家企業將互為對方特定SiC功率器件封裝的第二供應商。這意味著客戶可在英飛凌與羅姆的對應產品線間實現無縫切換，顯著提升產品設計的兼容性與采購策略的靈活性。例如在電動汽車充電模塊、工業電機驅動等應用場景中，設計人員無需重新調整電路布局即可更換供應商。

技術協作層面，羅姆將引入英飛凌開發的2.3毫米標準高度SiC頂部散熱封裝平臺。該平臺通過優化熱傳導路徑，可使器件在150℃結溫下持續穩定運行。與此同時，英飛凌將采用羅姆的"DOT-247"半橋結構SiC模塊封裝技術，并開發兼容產品。這種模塊采用壓接式設計，較傳統焊接結構可降低30%的寄生電感。

參與簽約的英飛凌零碳工業功率事業部總裁彼得·瓦維爾表示："通過整合雙方在封裝技術上的優勢，我們正在構建一個更具韌性的功率半導體生態系統。"羅姆方面出席簽約的常務執行官伊野和英強調："這次合作將加速寬禁帶半導體在工業與汽車領域的普及應用。"

據悉，雙方的合作范圍將逐步擴展。除現有碳化硅技術外，未來計劃將硅基功率器件、氮化鎵（GaN）高頻器件等更多產品線納入協作框架。這種跨材料體系的封裝標準互認，有望推動功率半導體行業向模塊化、標準化方向演進，為新能源、5G通信等戰略性產業提供更高效的器件支持。