人工智能浪潮引發的芯片投資熱潮正從邏輯芯片領域向內存市場加速擴散。摩根士丹利最新研報指出，閃存（NAND）市場已進入長期上升周期的初始階段，其供需格局的劇烈變化將催生顯著投資機遇。受AI數據中心建設驅動，三星電子本周率先將DRAM內存價格上調30%，閃存產品交貨周期延長至半年以上，美光科技、閃迪等廠商隨即跟進調價。

半導體行業周期性轉折特征在內存領域尤為明顯。費城半導體指數顯示，當前市場正處于"樂觀階段"，內存周期與邏輯芯片周期在AI時代出現階段性脫鉤后，正呈現明顯追趕態勢。庫存水平恢復至健康區間成為關鍵支撐，制造業景氣度指標ISM PMI與非AI半導體收入增長的正相關性，進一步印證行業復蘇預期。

價格走勢方面，市場可能經歷"雙底"調整過程。TrendForce數據顯示，2025年第二季度DRAM與閃存合同價格已上調，其中PC用DRAM均價預計上漲3-8%。但第四季度部分品類價格可能持平或微跌，直至2026年迎來更強勁上漲。閃存市場因其供需扭轉幅度更大，被機構視為更具潛力的投資領域。

企業級固態硬盤（eSSD）需求呈現爆發式增長。云服務提供商為應對AI推理業務擴張和機械硬盤供應短缺，提前數月啟動2026年存儲設備采購談判。主要客戶近線型eSSD訂單量已達200EB，疊加150EB的AI相關需求，遠超市場此前預期。即便按最樂觀模型預測2026年出貨量僅90EB，仍將存在7%的供應缺口，這為價格持續上行提供堅實基礎。

供給端擴張保持高度克制。2026年閃存晶圓廠設備資本支出預計達138億美元，但復蘇速度明顯落后于DRAM領域。制造商在經歷長期虧損后，維持嚴格資本紀律，優先將資源投向利潤率更高的DRAM業務。這種審慎的產能擴張策略，使得閃存有效供給難以快速匹配需求增長，進一步強化價格上行預期。

具體投資標的方面，純閃存制造商鎧俠憑借BiCS-8技術優勢，在eSSD市場占據有利地位，財務杠桿雖高但上行周期中盈利彈性顯著。閃迪作為價格整體上漲的主要受益者，新一代BICs8產品有望提升其市場份額，估值模型顯示股價存在較大上升空間。三星電子、SK海力士等綜合型廠商將享受存儲市場整體走強紅利，模組制造商江波龍、群聯等同樣具備價格傳導能力。

長江存儲的產能擴張對全球市場影響有限。其2026年全球供應份額預計從12%提升至15%，但增量產能主要面向國內市場，難以改變國際供需格局。閃存合同定價估算顯示，繼2025年第四季度接近雙位數漲幅后，2026年上半年綜合價格還將上漲15-20%，顯示市場對長期漲勢的強烈信心。