在近期的一次機構(gòu)調(diào)研活動中，瀾起科技透露了關(guān)于下一代內(nèi)存技術(shù)DDR6的最新動態(tài)。據(jù)介紹，JEDEC國際標(biāo)準(zhǔn)組織已啟動DDR6相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的制定工作，這一舉措標(biāo)志著內(nèi)存技術(shù)即將邁入新的發(fā)展階段。

DDR6作為DDR5的升級版本，其核心提升在于傳輸速率的顯著增長。為應(yīng)對更高速度帶來的信號完整性和穩(wěn)定性挑戰(zhàn)，新一代內(nèi)存模組預(yù)計將采用更多種類、更復(fù)雜的內(nèi)存互連芯片。這一技術(shù)演進(jìn)方向或?qū)⒅苯訋觾?nèi)存互連芯片市場的規(guī)模擴張，為相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)創(chuàng)造新的增長機遇。

行業(yè)分析機構(gòu)發(fā)布的報告顯示，DDR6內(nèi)存模組的商業(yè)化進(jìn)程正在穩(wěn)步推進(jìn)。基于當(dāng)前技術(shù)發(fā)展軌跡和產(chǎn)業(yè)鏈準(zhǔn)備情況，該技術(shù)有望在2029年前后進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段。這一時間節(jié)點與半導(dǎo)體行業(yè)每五年左右的主要技術(shù)迭代周期相吻合，符合產(chǎn)業(yè)升級規(guī)律。

作為內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，瀾起科技的技術(shù)布局始終與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展保持同步。公司表示將持續(xù)關(guān)注JEDEC標(biāo)準(zhǔn)制定進(jìn)程，并已啟動相關(guān)技術(shù)預(yù)研工作，以確保在DDR6時代繼續(xù)保持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。此次披露的信息顯示，內(nèi)存技術(shù)升級帶來的產(chǎn)業(yè)機遇正在逐步顯現(xiàn)。