全球存儲芯片領(lǐng)域近日迎來重要進展，SK海力士與英偉達就第六代高帶寬存儲器HBM4的供應協(xié)議達成一致。這款專為AI芯片設(shè)計的存儲器較前代產(chǎn)品HBM3E單價提升超50%，每顆定價約560美元（約合人民幣3989元），標志著HBM市場進入新的價格周期。

據(jù)行業(yè)消息，雙方談判過程充滿博弈。SK海力士基于技術(shù)升級帶來的成本壓力，最初提出550美元的報價，但英偉達考慮到三星電子和美光科技即將大規(guī)模入局，對價格漲幅提出異議。最終經(jīng)過協(xié)商，定價較初始方案微漲10美元，這個結(jié)果既保障了SK海力士的市場主導權(quán)，也體現(xiàn)了英偉達對供應鏈穩(wěn)定性的考量。

技術(shù)突破是支撐漲價的核心因素。HBM4的數(shù)據(jù)傳輸通道數(shù)量達2048個，較HBM3E翻倍，同時在基底芯片中集成了計算優(yōu)化和能效管理等邏輯功能。這種架構(gòu)革新促使SK海力士將基底芯片生產(chǎn)外包給臺積電，形成存儲與邏輯工藝的深度整合。行業(yè)分析師指出，這種技術(shù)躍遷帶來的制造成本上升，是推動產(chǎn)品定價走高的關(guān)鍵原因。

財務預測顯示，SK海力士的HBM業(yè)務將迎來爆發(fā)式增長。市場預計其明年HBM銷售額可達40-42萬億韓元（約合人民幣2084億元），若保持當前利潤率水平，僅HBM業(yè)務就可貢獻約25萬億韓元營業(yè)利潤。相較于今年30萬億韓元銷售額和17萬億韓元利潤的業(yè)績，整體業(yè)務規(guī)模有望提升40%-50%。

通用DRAM市場的價格異動成為另一重要變量。受AI基礎(chǔ)設(shè)施投資驅(qū)動，DDR4價格六年來首次突破7美元關(guān)口。存儲芯片廠商將產(chǎn)能向HBM產(chǎn)線傾斜，導致通用DRAM供應持續(xù)緊張。這種結(jié)構(gòu)性短缺推動SK海力士的GDDR和LP DDR等通用產(chǎn)品利潤率攀升，預計明年該板塊營業(yè)利潤率可達50%-60%。

產(chǎn)能預售現(xiàn)象印證了市場的高景氣度。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，SK海力士明年的生產(chǎn)計劃已全部售罄，這種"未投產(chǎn)先售罄"的局面在存儲芯片行業(yè)極為罕見。推理AI市場的快速擴張帶來的需求激增，使得存儲芯片供應持續(xù)吃緊，為廠商維持高利潤率提供了堅實支撐。

綜合各項業(yè)務表現(xiàn)，市場對SK海力士的盈利預期持續(xù)上調(diào)。有預測認為，憑借HBM4的高附加值和通用DRAM的價格上漲，公司明年整體營業(yè)利潤可能突破70萬億韓元。這種業(yè)績表現(xiàn)不僅源于HBM業(yè)務的技術(shù)領(lǐng)先，更得益于AI浪潮下存儲芯片市場的整體繁榮。