英偉達與臺積電在美國亞利桑那州合作生產的首片Blackwell架構芯片晶圓正式亮相，標志著全球頂尖AI芯片制造能力首次在美國本土落地。這一突破性進展不僅展現了美臺半導體產業深度合作的成果，更被視為全球芯片產業格局重塑的關鍵節點。
在臺積電鳳凰城工廠的慶祝儀式上，英偉達創始人黃仁勛與臺積電運營副總裁共同在晶圓上簽名留念。這片承載著數十億晶體管的硅基材料，將通過光刻、蝕刻等數百道精密工序，最終轉化為具備超強算力的AI芯片。黃仁勛特別強調："沒有臺積電的尖端制造工藝，英偉達在加速計算領域的革命性突破根本無法實現。"
該項目總投資已達1650億美元，創下美國半導體制造業投資紀錄。臺積電亞利桑那工廠將同步生產2納米、3納米、4納米及A16等先進制程芯片，這些技術節點對AI訓練、5G通信和超算系統具有戰略意義。值得關注的是，Blackwell架構芯片采用創新的雙芯互聯設計，通過NV-HBI接口實現10TB/s的帶寬傳輸，使兩個物理芯片在邏輯上形成統一計算單元。
追溯技術源頭，Blackwell架構于2024年GTC大會首次公開，其GPU集成約2080億個晶體管，采用英偉達與臺積電聯合研發的4NP定制工藝。隨著首片美國制造晶圓下線，該架構已進入全面量產階段。黃仁勛透露，后續Blackwell Ultra增強版及2026年將推出的Vera Rubin超芯片平臺，均計劃在美國本土生產。
這場產業變革的深層意義遠超技術范疇。當黃仁勛說出"我們正在將就業機會和制造業根基帶回美國"時，現場響起熱烈掌聲。分析人士指出，該項目不僅重塑了全球芯片供應鏈，更標志著美國在先進制造領域實現戰略回歸。臺積電創始人曾表示，在美國建廠是其三十年前的夙愿，如今這個夢想正通過AI芯片制造變為現實。
根據英偉達公布的路線圖，2027年將推出Rubin Ultra架構，2028年Feynman架構緊隨其后。這些持續迭代的技術藍圖，與美國本土制造能力形成戰略協同。隨著首片Blackwell晶圓在亞利桑那沙漠中誕生，全球AI基礎設施的核心引擎已開始在美洲大陸運轉。
