在半導體制造領域，掩膜作為光刻與圖案化工藝的核心材料，承擔著芯片電路圖案“母版”的關鍵角色。隨著工藝制程向更先進節點推進，掩膜的精度升級已成為突破技術瓶頸的核心要素之一。其中，多重電子束掩膜光刻設備憑借其高吞吐量與高精度的雙重優勢，成為支撐芯片量產的重要工具。
日本東芝旗下半導體設備企業NuFlare近日宣布，其新一代多重電子束掩膜光刻設備MBM-4000已正式投入市場。該設備專為支持A14（1.4納米）工藝節點設計，旨在滿足當前半導體行業對極紫外光刻（EUV）掩膜制造的嚴苛需求。
與上一代適用于2納米節點的MBM-3000設備相比，MBM-4000在技術參數上實現顯著突破。其電子束控制系統可同時精確操控超過50萬束電子束，束流尺寸進一步縮小，電流密度大幅提升。通過優化束流控制算法，該設備實現了1.1納米的位置精度與0.3納米的尺寸精度，達到全球半導體制造設備領域的領先水平。
據技術文檔披露，MBM-4000的升級重點在于電子光學系統的革新。新設備采用動態束流整形技術，可根據不同圖案區域的復雜度自動調整束流參數，在提升生產效率的同時降低邊緣效應。這一特性使其特別適用于高密度集成電路的掩膜制造，可有效減少因掩膜缺陷導致的芯片良率損失。
行業分析師指出，隨著3納米及以下先進制程進入量產階段，掩膜精度對芯片性能的影響愈發顯著。NuFlare此次推出的MBM-4000設備，不僅為半導體廠商提供了更可靠的生產工具，也為全球芯片制造技術向1.4納米及以下節點的突破奠定了設備基礎。
