三星在HBM3E領域取得關鍵突破，其開發的12層堆疊HBM3E內存模塊已通過英偉達嚴格的質量檢測。這款產品歷時一年半研發，于去年2月完成技術攻關，核心突破在于解決了高密度堆疊帶來的散熱難題。技術團隊通過優化基于1αnm（第四代10nm級）工藝的DRAM芯片設計，顯著提升了產品穩定性，該改進方案自去年5月啟動后成效顯著。
據行業媒體Wccftech披露，英偉達已向三星下達12層堆疊HBM3E的批量訂單，該內存將應用于搭載Blackwell Ultra GB300芯片的機架級計算解決方案。對三星而言，躋身英偉達HBM3E供應鏈具有戰略意義，這不僅是重返主流HBM市場的關鍵一步，更關乎其在DRAM領域重新確立技術領導地位。市場傳聞三星同時計劃采購5萬顆英偉達AI芯片，但雙方均未證實具體交易條款。
盡管取得階段性進展，三星仍面臨嚴峻挑戰。隨著HBM4技術標準進入商用倒計時，主要競爭對手SK海力士已建立先發優勢，預計在初期供應中繼續保持最大供應商地位。行業分析師指出，HBM4的代際轉換將重塑市場競爭格局，技術迭代速度與產能爬坡能力將成為決定份額的關鍵因素。
三星的技術儲備為其保留了競爭籌碼。該公司早在2024年即啟動基礎晶圓制造工藝升級，采用4nm制程打造的內存控制器預計可實現10Gb/s的傳輸速率，超越JEDEC標準產品的性能參數。更值得關注的是其垂直整合優勢——三星擁有自主邏輯芯片生產線，無需依賴臺積電等第三方代工，這種模式使其在成本結構上具備顯著彈性。業內人士認為，這種全產業鏈布局或將幫助三星在HBM4時代構建差異化競爭力。
