據韓國媒體報道，三星電子已正式啟動針對人工智能數據中心需求的高帶寬閃存（HBF）產品前期研發工作，目前處于概念設計階段。由于項目尚處初期，具體技術參數與量產時間表尚未確定，但業界普遍認為該產品將重點解決AI場景下數據存儲與傳輸的效率瓶頸。
當前NAND閃存行業對HBF的技術路徑存在兩種主流方案：其一為閃迪提出并獲SK海力士支持的"NAND版HBM"架構，試圖通過堆疊技術實現內存級帶寬；其二則是鎧俠此前展示的"多TB級超高速PCIe設備"，強調通過接口升級提升傳輸速率。三星尚未公開其技術路線選擇，但業內人士推測其可能結合自有專利技術進行差異化開發。
在AI大規模推理部署場景中，傳統固態硬盤形態的NAND存儲已難以滿足實時數據處理需求。三星持有的Z-NAND技術因其介于常規NAND與DRAM之間的性能特性，被認為可能在混合層級存儲（MLS/SLM）領域展現獨特優勢。該技術通過優化讀取延遲和寫入壽命，有望填補高速存儲與大容量存儲之間的技術空白。
行業分析指出，隨著生成式AI對存儲系統帶寬要求的指數級增長，高帶寬閃存市場將在2025年后迎來爆發期。三星此次研發動作不僅關乎其存儲業務的市場地位，更可能影響全球AI基礎設施的技術演進方向。目前多家存儲廠商均已加大相關領域投入，技術競賽態勢日趨激烈。
