據韓國媒體報道，三星電子已正式啟動HBF高帶寬閃存產品的前期研發工作，重點聚焦人工智能數據中心對高速存儲解決方案的迫切需求。目前該項目仍處于概念設計階段，具體技術參數與量產時間表尚未對外公布。
在技術路線選擇上，全球主要NAND閃存制造商對HBF產品存在兩種不同理解。一種方案由閃迪公司提出并獲得SK海力士支持，該方案被業界稱為"NAND版HBM"；另一種技術路徑則由鎧俠公司率先展示，其核心是開發多TB級超大容量高速PCIe存儲設備。截至目前，三星尚未明確表態將采用哪種技術架構。
針對大規模AI推理場景的存儲需求，傳統固態硬盤采用的NAND存儲技術已難以滿足高速數據吞吐要求。三星電子自主研發的Z-NAND技術在此領域展現出獨特優勢，該技術通過在傳統NAND與DRAM之間構建MLS/SLM存儲層級，有望在高性能計算領域開辟新的應用空間。
