在移動設備AI性能提升的賽道上，SK海力士正以創新技術掀起新一輪變革。據可靠消息，這家存儲巨頭正在研發一項名為高帶寬存儲（HBS）的前沿技術，通過將移動DRAM與NAND閃存深度融合，為智能手機和平板電腦等終端設備注入更強勁的AI算力。

技術突破的核心在于垂直扇出（VFO）工藝的突破性應用。該工藝通過三維堆疊技術，最多可將16層DRAM與NAND閃存垂直整合，構建出立體化的存儲架構。這種設計不僅實現了數據訪問的高帶寬與低延遲，更在物理層面重構了存儲單元的連接方式。

與傳統HBM采用的硅通孔（TSV）技術相比，VFO工藝展現出顯著優勢。由于無需在晶圓上鉆孔，其制造成本大幅降低，同時產品良率得到顯著提升。更短的布線距離使得I/O密度實現指數級增長，為移動設備的小型化與高性能化提供了技術支撐。

在封裝形式上，HBS技術展現出獨特的靈活性。存儲模塊可直接與手機芯片組進行協同封裝，形成高度集成的系統級方案。這種設計不僅簡化了主板布局，更通過縮短數據傳輸路徑，為實時圖像識別、語音交互以及大模型推理等AI應用提供了硬件層面的優化。

值得關注的是，HBS技術正展現出替代現有eMMC/UFS存儲方案的潛力。其通過突破傳統存儲架構的"存儲墻"限制，有望成為下一代智能終端的核心競爭力。在AI計算需求呈指數級增長的背景下，這項技術或將重新定義移動設備的性能邊界。