存儲芯片市場正經(jīng)歷一場前所未有的漲價風暴，自年初啟動的漲勢進入第四季度后愈發(fā)猛烈，產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)均感受到強烈沖擊。據(jù)存儲行業(yè)人士透露，部分國際原廠已暫停DRAM和Flash產(chǎn)品的常規(guī)報價機制，即便提供報價，有效期也縮短至以日為單位，價格波動幅度令市場瞠目。

這場價格異動迅速傳導至國內(nèi)市場。江波龍證券部相關(guān)負責人透露，公司因提前儲備存貨，上游漲價反而提升了毛利率水平。普冉股份則面臨供給緊張局面，其證券部人士表示正與下游客戶協(xié)商產(chǎn)品價格調(diào)整方案。作為分銷環(huán)節(jié)代表的香農(nóng)芯創(chuàng)則指出，上游采購成本上漲已同步傳導至終端，但分銷業(yè)務(wù)毛利率受銷量波動影響更顯著。

數(shù)據(jù)印證了市場的劇烈震蕩。CFM閃存市場監(jiān)測顯示，DDR4 16Gb 3200現(xiàn)貨價格單周暴漲30%至13美元，512Gb Flash Wafer十月累計漲幅超20%。TrendForce分析師許家源預(yù)測，第四季度DRAM整體價格（含HBM）將季增13%-18%。這種全產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)性漲價被業(yè)內(nèi)稱為"超級周期"，資本市場反應(yīng)強烈，10月24日A股存儲板塊集體爆發(fā)，普冉股份、香農(nóng)芯創(chuàng)漲停，佰維存儲等漲幅超10%。

驅(qū)動這場變革的核心力量來自AI技術(shù)突破。隨著ChatGPT等大模型迭代，全球云服務(wù)商開啟瘋狂囤貨模式。OpenAI"星際之門"項目每月消耗的DRAM晶圓量接近全球產(chǎn)能的40%，單臺AI服務(wù)器存儲需求是傳統(tǒng)設(shè)備的5-20倍，且必須配置高帶寬內(nèi)存（HBM）。HBM3E帶寬達1.2TB/s，單價較前代提升60%-70%，這種"量價齊升"的需求徹底顛覆了傳統(tǒng)供需格局。

存儲巨頭迅速調(diào)整產(chǎn)能布局。三星計劃2025年底全面停產(chǎn)DDR4，SK海力士將該產(chǎn)品線產(chǎn)能壓縮至20%，美光等企業(yè)同步削減舊制程產(chǎn)品供應(yīng)。由于HBM晶圓消耗量是標準DRAM的三倍以上，產(chǎn)能轉(zhuǎn)向?qū)е翫DR4、LPDDR4X等傳統(tǒng)產(chǎn)品供應(yīng)吃緊。今年三月以來，金士頓DDR4臺式機內(nèi)存條價格已翻番，終端市場隨之波動，Redmi K90系列手機部分版本售價上調(diào)100-400元，小米集團總裁盧偉冰直言存儲成本壓力遠超預(yù)期。

面對行業(yè)劇變，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)展開差異化應(yīng)對。模組廠商普遍采取囤貨策略，八月起密集儲備顆粒及晶圓庫存，并同步上調(diào)產(chǎn)品定價。朗科科技則反其道而行之，通過"清庫存"模式降低業(yè)績波動。芯片設(shè)計企業(yè)依賴價格傳導機制，普冉股份正與下游協(xié)商漲價方案。分銷商香農(nóng)芯創(chuàng)表示，采購成本上漲已同步傳導至終端，但毛利率受銷量影響更明顯。國際原廠漲價潮反而為國內(nèi)晶圓廠創(chuàng)造機遇，部分國產(chǎn)廠商開始轉(zhuǎn)向本土供應(yīng)鏈。

在這場技術(shù)革命中，國產(chǎn)廠商加速布局高附加值領(lǐng)域。企業(yè)級SSD供應(yīng)量顯著提升，HBM、先進封裝及服務(wù)器DDR5成為重點突破方向。賽騰股份的HBM檢測設(shè)備已獲海外大客戶認可并批量出貨，國內(nèi)市場開拓同步推進。中微公司在先進封裝領(lǐng)域完成全產(chǎn)業(yè)鏈布局，涵蓋刻蝕、CVD、PVD及晶圓量檢測設(shè)備，CCP刻蝕及TSV深硅通孔設(shè)備已正式發(fā)布。佰維存儲的晶圓級先進封測項目進入投產(chǎn)準備階段，項目完成后將提供"存儲+封測"一站式解決方案。

行業(yè)分析師指出，隨著原廠HBM產(chǎn)能逐步釋放，2026年HBM3e可能面臨供過于求，但技術(shù)門檻更高的HBM4仍將保持緊缺狀態(tài)。在這場全球存儲產(chǎn)業(yè)變革中，積極布局的國產(chǎn)廠商有望提升市場地位，推動產(chǎn)業(yè)進入新的發(fā)展階段。