第四屆GMIF2025創(chuàng)新峰會在深圳萬麗灣酒店落下帷幕，這場以“AI應(yīng)用，創(chuàng)新賦能”為主題的盛會，吸引了全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈上下游的領(lǐng)軍企業(yè)、技術(shù)專家與行業(yè)領(lǐng)袖齊聚一堂，共同探尋AI浪潮下存儲技術(shù)的演進(jìn)方向與產(chǎn)業(yè)機(jī)遇。峰會期間，三星電子副總裁、Memory事業(yè)部首席技術(shù)官Kevin Yoon發(fā)表了題為《智構(gòu)AI未來：開啟內(nèi)存與存儲新紀(jì)元》的主題演講，深入剖析了AI時代存儲技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)與突破路徑，并重磅發(fā)布多項(xiàng)前沿解決方案。

Kevin Yoon在演講中指出，AI技術(shù)正經(jīng)歷從生成式AI向智能體AI（Agentic AI）的跨越，并最終邁向物理AI（Physical AI）的演進(jìn)。當(dāng)前，行業(yè)已正式步入Agentic AI階段，這類具備自主推理與決策能力的智能體技術(shù)，在生成式AI的基礎(chǔ)上，需維持多種狀態(tài)并在無顯著延遲的情況下使用工具，從而推動全球數(shù)據(jù)量與計算需求呈爆發(fā)式增長。他強(qiáng)調(diào)，在Agentic AI推理過程中，數(shù)據(jù)需更長時間留存以獲取最優(yōu)結(jié)果，這直接導(dǎo)致內(nèi)存容量需求激增。數(shù)據(jù)中心正加速向數(shù)據(jù)密集型計算方式轉(zhuǎn)型，存儲技術(shù)已從后臺支撐設(shè)施躍升為決定AI系統(tǒng)效率與可擴(kuò)展性的核心環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)存儲架構(gòu)面臨帶寬需求指數(shù)級攀升、功耗觸及物理上限、延遲控制難度加大等多重挑戰(zhàn)，內(nèi)存層級結(jié)構(gòu)亟須重構(gòu)以適配新一代智能基礎(chǔ)設(shè)施需求。

針對AI服務(wù)器對高帶寬的迫切需求，Kevin Yoon公布了三星在下一代內(nèi)存技術(shù)上的突破性進(jìn)展：行業(yè)首款24Gb容量GDDR7產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并與領(lǐng)先GPU合作伙伴達(dá)成深度協(xié)同。該產(chǎn)品融合尖端制程工藝與優(yōu)化電路架構(gòu)，傳輸速率高達(dá)42.5Gbps，相比上一代產(chǎn)品能效提升超30%，為AI訓(xùn)練與圖形渲染提供了關(guān)鍵支撐。同時，為解決DRAM的容量限制，計算快速鏈路（CXL）內(nèi)存擴(kuò)展器作為潛力解決方案正在興起。作為全球首個推出CXL產(chǎn)品的企業(yè)，三星自2021年起持續(xù)引領(lǐng)技術(shù)與生態(tài)發(fā)展，目前已實(shí)現(xiàn)DDR基CXL 2.0產(chǎn)品規(guī)模化量產(chǎn)。Kevin Yoon透露，隨著CXL 3.0時代到來，三星正開發(fā)支持多服務(wù)器實(shí)時內(nèi)存共享的新型設(shè)備，計劃于明年推出兼容CXL 3.1與PCIe Gen 6.0的CMM-D解決方案，未來更將實(shí)現(xiàn)近內(nèi)存處理引擎等全功能支持，以進(jìn)一步提升數(shù)據(jù)中心的靈活性與擴(kuò)展性。

在存儲領(lǐng)域，Kevin Yoon圍繞高性能、高密度、熱控制三大核心維度，系統(tǒng)闡述了三星的技術(shù)布局與產(chǎn)品路線圖。性能方面，針對PCIe接口代際升級帶來的技術(shù)挑戰(zhàn)，三星通過優(yōu)化NAND與控制器協(xié)同設(shè)計，即將于2026年初推出PCIe Gen6 SSD產(chǎn)品PM1763。該產(chǎn)品在25W功耗限制下實(shí)現(xiàn)性能翻倍提升，能效比提升1.6倍，完美適配GPU密集型AI計算場景。高密度存儲領(lǐng)域，三星展現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力：2025年已推出128TB U.2接口SSD產(chǎn)品，2026至2027年更計劃推出1T厚度的EDSFF形態(tài)產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)Gen5平臺256TB、Gen6平臺512TB的超高容量突破。這一系列突破得益于三星先進(jìn)的32層堆疊封裝技術(shù)，結(jié)合EDSFF形態(tài)的輕薄設(shè)計優(yōu)勢，可在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)存儲密度與能效的雙重優(yōu)化。針對高性能存儲帶來的散熱挑戰(zhàn)，Kevin Yoon表示三星正從傳統(tǒng)風(fēng)冷向液冷等直接冷卻技術(shù)轉(zhuǎn)型。通過將E1.S 8TB SSD厚度從15T縮減至9.5T等形態(tài)優(yōu)化，結(jié)合冷板與外殼間熱阻最小化設(shè)計，確保下一代存儲產(chǎn)品在滿負(fù)荷運(yùn)行時的系統(tǒng)穩(wěn)定性。

面對AI推理場景中對小數(shù)據(jù)塊快速訪問的需求，三星提出了“內(nèi)存級存儲（Memory Class Storage）”這一全新技術(shù)品類，旨在突破傳統(tǒng)存儲與計算間的性能鴻溝。該技術(shù)以GPU主動直接存儲（GIDS）為典型應(yīng)用，通過GPU與存儲的直接數(shù)據(jù)交互，大幅降低系統(tǒng)延遲。三星正在研發(fā)第七代Z-NAND技術(shù)，這款面向GIDS場景優(yōu)化的存儲介質(zhì)，其第三代產(chǎn)品將實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的吞吐量表現(xiàn)，在保持超高性能的同時最大化能效。Kevin Yoon強(qiáng)調(diào)，內(nèi)存級存儲將重新定義AI推理的響應(yīng)速度標(biāo)準(zhǔn)，為實(shí)時智能應(yīng)用提供關(guān)鍵支撐。

峰會期間，除了對AI時代下存儲技術(shù)的演進(jìn)與生態(tài)共建進(jìn)行深入探討，還對存儲領(lǐng)域過去一年涌現(xiàn)的杰出企業(yè)、創(chuàng)新技術(shù)、優(yōu)秀方案等進(jìn)行了評優(yōu)，并重磅發(fā)布評選結(jié)果。作為行業(yè)領(lǐng)軍者，三星半導(dǎo)體在DRAM與NAND領(lǐng)域持續(xù)實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)迭代，榮獲“杰出存儲技術(shù)引領(lǐng)獎”。評委會特別指出，面對AI爆發(fā)對高帶寬、高能效存儲的迫切需求，三星率先實(shí)現(xiàn)HBM、DDR5、LPDDR5X及高層堆疊3D NAND等前沿技術(shù)的規(guī)模化量產(chǎn)與應(yīng)用，極大地加速了大模型訓(xùn)練、數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施升級及高端智能終端創(chuàng)新，為全球客戶提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)底座。

Kevin Yoon在演講結(jié)尾表示，三星通過內(nèi)存與存儲領(lǐng)域的全棧創(chuàng)新，不僅致力于解決AI時代的數(shù)據(jù)管理難題，更旨在解鎖AI技術(shù)的全部潛能。未來，三星將持續(xù)突破技術(shù)極限，與全球合作伙伴共建存儲生態(tài)，共同開啟AI賦能的智能未來。

此次獲獎，是對三星半導(dǎo)體通過持續(xù)研發(fā)投入重塑存儲性能邊界、賦能全球數(shù)字化進(jìn)程的充分肯定。三星半導(dǎo)體表示，將繼續(xù)引領(lǐng)存儲技術(shù)創(chuàng)新，為產(chǎn)業(yè)鏈上下游提供尖端解決方案，推動AI應(yīng)用廣泛落地。