近日，半導體行業迎來重要進展，英特爾宣布成功部署阿斯麥（ASML）最新研發的TWINSCAN EXE:5200B光刻系統。該設備作為全球首套第二代高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻機，將直接應用于英特爾14A制程節點的芯片制造，標志著先進制程技術邁入新階段。
據技術資料顯示，EXE:5200B在核心性能指標上實現突破。在標準生產條件下，該系統每小時可處理175片晶圓，而英特爾通過優化系統參數，計劃將產能提升至每小時200片以上。更值得關注的是，基于過去一年多對High-NA設備的實踐積累，新系統的套刻精度（Overlay Accuracy）達到0.7納米級別，為制造更復雜芯片結構提供了技術保障。
回顧技術演進歷程，英特爾于2023年率先引入首臺High-NA EUV原型機EXE:5000，并在俄勒岡州D1X研發中心完成技術驗證與人才梯隊建設。此次量產型設備的落地，不僅延續了雙方在極紫外光刻領域的深度合作，更通過設備迭代驗證了高精度光刻技術的工業化可行性，為后續大規模部署奠定基礎。
英特爾強調，High-NA EUV技術是其晶圓代工業務的核心競爭力之一。通過整合掩模版制造、等離子蝕刻、解析度增強及計量檢測等全鏈條工藝，該技術能夠實現晶體管特征的進一步微縮，滿足人工智能、高性能計算等領域對芯片密度的嚴苛要求。此次設備升級將直接推動英特爾在先進制程賽道的技術領先性。
行業分析指出，隨著摩爾定律進入物理極限挑戰期，High-NA EUV光刻機的量產應用具有戰略意義。其0.55數值孔徑設計相比前代0.33數值孔徑設備，在分辨率和成像質量上實現質的飛躍，有望將芯片制程推進至埃米（?）級時代。英特爾此次技術部署或將重塑全球半導體制造格局。
