日本大日本印刷（DNP）近日宣布，在納米壓印光刻（NIL）技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破，成功研發(fā)出線寬僅10納米的NIL圖案化模板。這一成果將直接推動(dòng)1.4納米級(jí)邏輯芯片及NAND閃存芯片的制造進(jìn)程，為半導(dǎo)體行業(yè)提供更高效的解決方案。
DNP在NIL技術(shù)領(lǐng)域深耕超過(guò)二十年，其最新一代模板融合了光掩模制造與晶圓加工兩大核心工藝的專業(yè)知識(shí)。通過(guò)采用自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案化（SADP）的“套刻”技術(shù)，該方案在初始圖案基礎(chǔ)上疊加薄膜沉積與蝕刻工藝，使線條密度實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)。這種創(chuàng)新方法有效突破了傳統(tǒng)光刻技術(shù)的物理極限，為更高精度芯片制造開(kāi)辟了新路徑。
相較于傳統(tǒng)光刻機(jī)的曝光工藝，DNP的NIL技術(shù)能耗顯著降低，僅為前者的十分之一。這一優(yōu)勢(shì)在半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)具有重要戰(zhàn)略意義，既能減少碳排放，又能降低生產(chǎn)成本。目前，DNP正與多家半導(dǎo)體制造商展開(kāi)深度技術(shù)對(duì)接，計(jì)劃于2027年啟動(dòng)規(guī)模化量產(chǎn)，首批產(chǎn)品將優(yōu)先應(yīng)用于先進(jìn)邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域。
行業(yè)分析指出，隨著摩爾定律逼近物理極限，NIL技術(shù)因其低成本、高精度的特性，正成為下一代半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵候選方案。DNP此次突破不僅鞏固了其在納米壓印領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，更為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈提供了新的技術(shù)選項(xiàng)，尤其在先進(jìn)制程芯片制造環(huán)節(jié)具有潛在顛覆性影響。
