存儲芯片行業正經歷一場由人工智能技術深度滲透引發的劇烈震蕩。全球NAND閃存龍頭廠商閃迪在最新財報會議中宣布，將于11月起對合約價格實施高達50%的漲幅調整，此舉立即引發產業鏈上下游的連鎖反應。公司首席執行官David指出，當前正遭遇由AI應用普及催生的歷史性需求高峰，預計到2026年數據中心將取代移動設備成為NAND閃存的最大消費領域，這一轉變將重塑整個產業格局。
技術競賽成為支撐漲價的核心動能。閃迪正加速推進基于BiCS8架構的第四代3D NAND固態硬盤研發，該產品專為AI訓練場景設計，具備更高存儲密度與能效比。目前相關產品已進入超大規模云服務商的認證階段。行業數據顯示，主流廠商的3D NAND堆疊層數已突破300層大關，部分實驗室原型機更達到500層水平，業內預測到2030年將實現1000層堆疊的突破性進展。這種技術躍遷直接推高了生產成本，成為價格上調的重要依據。
供應鏈震動迅速傳導至終端市場。創見、宜鼎國際、宇瞻科技等存儲模組廠商集體采取防御性策略，創見自11月7日起全面暫停報價與出貨，其官方聲明中"市場行情將持續向好"的表述，暗示后續價格存在進一步攀升空間。這種集體停供行為反映出下游企業對成本傳導能力的擔憂，部分中小型模組廠已開始尋求替代供應商或調整產品組合。
結構性供需失衡構成漲價的根本邏輯。AI數據中心建設浪潮與上游晶圓產能擴張滯后形成鮮明對比，這種矛盾在DRAM市場已率先顯現——三星電子十月暫停DDR5合約報價后，SK海力士、美光等巨頭迅速跟進，導致內存價格三個月內漲幅超40%。創見董事長束崇萬用"36年未遇的盛況"形容當前態勢，他特別指出，在DRAM完成首輪價格修復后，NAND市場的漲價周期才剛剛啟動，AI算力集群對存儲容量的指數級需求將成為長期支撐因素。
市場分析師觀察到，本輪漲價呈現明顯的技術分層特征。企業級SSD產品因直接服務于AI訓練集群，價格彈性空間最大；消費級市場則因智能手機、PC需求疲軟，廠商漲價策略更為謹慎。這種分化態勢迫使存儲原廠重新評估產能分配，部分廠商已將20%以上的晶圓產能轉向數據中心專用產品，這種結構性調整可能在未來兩年內持續影響市場供應格局。
