全球存儲芯片龍頭SK海力士與英偉達即將達成新一代高帶寬存儲器（HBM4）的供應協(xié)議，這款專為AI計算設計的核心組件預計將以每顆560美元的價格推向市場，較前代HBM3E漲幅超過50%。技術突破成為此次價格調整的核心支撐，HBM4的數(shù)據(jù)傳輸通道數(shù)量從HBM3E的1024個翻倍至2048個，同時通過在基底芯片中集成計算優(yōu)化與能效管理功能，顯著提升了AI設備的運算效率。
在生產策略上，SK海力士進行了重大調整。自HBM4項目啟動后，企業(yè)將基底芯片制造環(huán)節(jié)外包給臺積電，自身則集中資源攻克核心技術并優(yōu)化產能配置。這一變革在3月已現(xiàn)成效——全球首款12層堆疊HBM4樣品通過英偉達測試并獲得認可，6月起正式進入小批量供貨階段。據(jù)企業(yè)高管透露，價格上調既反映了制程工藝的進步，也涵蓋了原材料成本上升的客觀因素。
行業(yè)分析師指出，HBM4的高盈利能力將推動SK海力士明年HBM業(yè)務銷售額躍升至40-42萬億韓元（約合2084億元人民幣），營業(yè)利潤率預計達60%，僅該板塊即可貢獻25萬億韓元利潤。這種增長勢頭在通用存儲芯片領域同樣顯現(xiàn)，9月DDR4價格六年來首次突破7美元，GDDR與低功耗DDR產品的市場價格也呈現(xiàn)快速攀升態(tài)勢。
需求端的爆發(fā)式增長成為價格走高的關鍵推手。隨著推理型AI應用場景的持續(xù)拓展，存儲芯片供應已出現(xiàn)明顯缺口，SK海力士明年的相關產能早在規(guī)劃階段即被預訂一空。預計到明年下半年，HBM4將全面取代HBM3E成為市場主流，推動企業(yè)HBM業(yè)務營收較今年增長40%-50%，整體營業(yè)利潤有望突破70萬億韓元大關。
