全球存儲芯片市場正經歷一場由人工智能（AI）需求主導的深刻變革。摩根大通分析師團隊在最新報告中指出，云服務提供商對高性能內存的旺盛需求，正推動整個行業進入長期結構性增長通道。這場變革不僅重塑了DRAM市場的價格周期，更帶動NAND閃存市場全面復蘇，預計到2027年全球存儲市場規模將突破3000億美元。
驅動本輪增長的核心力量來自AI計算對內存性能的極致追求。報告顯示，AI訓練與推理需求已從高帶寬內存（HBM）向傳統DRAM和NAND閃存全面擴散。由于供應商在未來12個月內難以完全滿足市場需求，存儲芯片價格獲得持續支撐。這種供需失衡在DRAM市場表現為罕見的四年定價上行周期（2024-2027年），徹底打破了該行業"過山車式"的價格波動規律。
HBM技術成為穩定市場周期的關鍵變量。摩根大通預測，到2027年HBM將占據DRAM市場總價值的43%，其高附加值特性有效平滑了傳統DRAM的價格波動。即便在2026年HBM3E產品可能因供應增加而降價，但下一代HBM4預計仍將保持35%的溢價，確保混合平均售價維持高位。在廠商競爭格局中，SK海力士憑借HBM4技術優勢，有望提前獲得英偉達認證并占據超60%市場份額，三星與美光則將爭奪剩余訂單。
DRAM市場的增長動力正呈現多元化特征。報告特別指出，英偉達下一代Vera CPU配套的SOCAMM2內存模組，以及Rubin CPX GPU使用的GDDR7顯存，將成為新的需求增長點。同時，AI推理服務與邊緣計算的普及，迫使通用服務器升級內存配置以降低延遲、優化功耗，進一步推高DRAM需求。摩根大通預計，到2027年AI相關應用將占據DRAM市場53%的份額，為此存儲廠商計劃在2026-2027年將資本支出提升7%-12%，優先擴張DRAM產能。
NAND閃存市場同樣迎來強勁復蘇。在經歷兩年投資低迷后，企業級固態硬盤（eSSD）需求因外部因素激增。傳統近線硬盤驅動器（HDD）的供應短缺（部分產品交付周期達52周），迫使數據中心大規模轉向eSSD解決方案。與此同時，AI模型從訓練向推理階段轉型，對數據讀取速度提出更高要求，凸顯了NAND閃存的結構性價值。摩根大通預測，NAND混合平均售價將在2026財年同比增長7%，但對其長期前景保持謹慎樂觀，認為AI推理的存儲需求確定性弱于HBM對GPU計算的支撐。
這場存儲芯片革命正在改寫行業規則。從DRAM市場的長周期定價，到NAND閃存的結構性價值提升，再到HBM技術的競爭格局演變，AI需求已成為貫穿整個存儲產業鏈的核心主線。隨著資本支出向DRAM產能傾斜，以及eSSD在數據中心領域的加速滲透，全球存儲市場正步入一個由技術創新驅動的新增長階段。
