據行業消息，三星電子正醞釀一項重大產能調整計劃，擬將支撐其高帶寬內存（HBM3E）供應的1a納米制程動態隨機存取存儲器（DRAM）產能削減三至四成。此舉旨在通過制程升級，將資源向通用內存產品傾斜，以應對當前市場格局變化帶來的利潤壓力。
當前三星電子的HBM3與HBM3E產品均基于1a納米DRAM工藝，而下一代HBM4將采用更先進的1c納米技術。與之形成對比的是，其1b納米制程產能完全用于生產DDR5、LPDDR5x及GDDR7等通用內存產品。這種技術路線分化，使得不同制程的產能分配成為影響盈利能力的關鍵因素。
市場動態為這次產能調整提供了直接誘因。受人工智能算力需求激增影響，通用內存產品近期出現價格快速上漲態勢。DDR5等主流產品價格攀升，使得1b納米制程的盈利能力顯著提升，甚至超越了傳統認知中因HBM高溢價而更具優勢的1a納米產線。這種利潤結構的變化，促使三星電子重新評估產能配置策略。
在HBM市場競爭中，三星電子雖已躋身英偉達供應商行列，但其供貨規模受到技術迭代節奏和成本結構的雙重制約。數據顯示，該公司HBM3E產品的平均售價較競爭對手SK海力士低約30%，且面臨2026年起產品降價30%的市場預期。這種價格壓力，進一步削弱了1a納米產線的經濟性。
技術遷移方案已進入實質性論證階段。消息人士透露，若將現有1a納米產線的30-40%產能，連同部分1z納米等成熟制程產能轉換為1b納米，預計每月可新增約8萬片晶圓投片量。這種產能結構的優化，既能滿足通用內存市場旺盛需求，又可通過規模效應提升整體利潤率。
此次調整折射出存儲芯片行業的技術演進特征。隨著HBM產品向1c納米制程邁進，1a納米工藝逐漸從前沿技術轉變為過渡性方案。而1b納米制程憑借成本與性能的平衡優勢，在通用內存領域展現出更強的市場適應性。三星電子的產能重構，實質上是技術生命周期管理與市場需求匹配的戰略選擇。
