11 月 28 日消息，參考德媒 Hardwareluxx 編輯 Andreas Schilling 在社交平臺分享的圖片，臺積電在本月 25 日于荷蘭阿姆斯特丹舉行的 2025 年 OIP（開放創(chuàng)新平臺）生態(tài)系統(tǒng)論壇歐洲場上分享了對首代定制 HBM 內(nèi)存的看法。

與美光首席商務(wù)官 Sumit Sadana 的觀點類似，臺積電也認(rèn)為定制 HBM 將在 HBM4E 時代正式落地，其對相關(guān)產(chǎn)品的稱呼是 C-HBM4E。

圖源：Andreas Schilling

臺積電在 HBM4 時代提供了 2 種不同的 HBM Base Die（基礎(chǔ)裸片）制程方案，分別是面向主流市場的 N12FFC+ 和追求更高性能的 N5。

而在 C-HBM4E 上，為向基礎(chǔ)裸片集成 MC（內(nèi)存控制器）以滿足節(jié)省計算芯片面積等需求，臺積電將提供 N3P 先進制程基礎(chǔ)裸片解決方案，宣稱可將能效提升至 HBM3E 基礎(chǔ)裸片的 2 倍左右。同時 C-HBM4E 的 Vdd 電壓將僅有 0.75V，較 HBM4 進一步降低。