全球功率半導體領域迎來重要突破，安森美公司正式宣布推出基于垂直氮化鎵（vGaN）技術的新一代功率器件，并啟動向特定客戶交付工程樣品。該技術采用創新的GaN-on-GaN同質襯底結構，通過獨特的垂直電流傳導設計，在高壓應用場景中展現出顯著優勢。

與傳統橫向氮化鎵器件相比，垂直架構使電流路徑垂直穿過化合物半導體層，這種結構創新帶來三方面突破：器件耐壓等級提升至1200V以上，開關頻率較現有產品提高40%，同時器件體積縮減至同類產品的三分之一。技術團隊特別指出，垂直結構有效解決了橫向器件在高壓場景下的電場集中問題，為高功率密度應用提供了可靠解決方案。

在性能參數方面，首批推出的700V和1200V器件樣品顯示，系統能量損耗較傳統硅基器件降低47%，工作溫度下降15℃。這種能效提升直接轉化為系統級優勢——配套的被動元件（如電容器、電感器）體積可縮減50%，幫助設計工程師在有限空間內實現更高功率輸出。

該技術對高成長領域具有戰略價值。在電動汽車領域，更緊湊的功率模塊可提升電池續航里程；數據中心應用中，降低的能耗能顯著減少運營成本；航空航天領域則受益于器件的耐輻射特性和輕量化設計。早期測試數據顯示，采用vGaN技術的電源轉換系統效率突破98.5%，達到行業領先水平。

目前安森美已向全球20家戰略客戶交付首批樣品，涵蓋新能源汽車制造商、超大規模數據中心運營商和可再生能源設備商。技術團隊透露，正在開發1700V等級器件，預計2026年實現量產，屆時將進一步拓展軌道交通和工業電機驅動等高壓應用市場。