存儲芯片市場正經歷一場由人工智能（AI）需求推動的空前漲價潮，傳統(tǒng)供需格局被徹底打破。據產業(yè)鏈人士透露，本輪漲勢自上半年啟動后，進入第四季度非但未現緩和跡象，反而因多重因素疊加呈現加速態(tài)勢。部分存儲原廠已對DRAM和Flash產品線采取暫停報價策略，終端市場價格傳導效應顯著，小米集團創(chuàng)始人雷軍近日公開表示“內存漲價幅度超出預期”。

驅動本輪行情的核心因素在于AI技術爆發(fā)引發(fā)的結構性供需失衡。摩根士丹利預測，全球科技巨頭今年在AI基礎設施領域的投入將達4000億美元，直接帶動對高帶寬內存（HBM）的旺盛需求。Yole Group數據顯示，2025年HBM市場規(guī)模預計接近340億美元，2030年前將保持33%的年復合增長率，屆時營收占比將超過DRAM市場半壁江山。由于HBM晶圓消耗量是標準DRAM的三倍以上，存儲原廠被迫將產能向高利潤產品傾斜，導致DDR4、LPDDR4X等傳統(tǒng)制程產品出現“計劃性供應收縮”。

價格波動已蔓延至全產業(yè)鏈。CFM閃存市場監(jiān)測顯示，DDR4 16Gb 3200現貨價本周飆升至13美元，周漲幅達30%；512Gb Flash Wafer十月累計漲幅超20%。有從業(yè)者透露，部分產品已進入“一日一價”狀態(tài)，DRAM整體價格（含HBM）第四季度預計環(huán)比增長13%-18%。這種長期、全面的漲價周期在業(yè)內實屬罕見，直接推動A股存儲概念板塊10月24日集體爆發(fā)，普冉股份、香農芯創(chuàng)等個股強勢漲停。

終端市場成本壓力持續(xù)傳導。Redmi K90系列手機近日上市，部分版本售價較前代上調100-400元。小米集團總裁盧偉冰坦言，存儲成本漲幅遠超預期且將持續(xù)加劇，企業(yè)只能通過產品定價向消費者傳遞部分壓力。TrendForce分析師許家源指出，DDR4供應緊張局面至少將持續(xù)至2026年上半年，威剛科技董事長更公開表示，第四季度才是存儲市場真正缺貨的起點。

面對行業(yè)變局，國內產業(yè)鏈展開多維應對。模組廠商普遍采取囤貨策略，江波龍證券部人士透露，提前儲備的存貨對毛利率形成正向支撐。但策略分化明顯，朗科科技選擇“輕庫存”模式以降低業(yè)績波動。芯片設計企業(yè)則啟動價格談判，普冉股份表示正與下游客戶協(xié)商漲價事宜。分銷領域，香農芯創(chuàng)稱雖毛利率保持穩(wěn)定，但采購成本上漲已推動終端售價同步上調。

國際原廠漲價效應加速向國內晶圓廠轉移。某國產存儲企業(yè)人士透露，海外廠商提價促使部分客戶轉向國內供應鏈。在此背景下，國產廠商正加速布局高附加值領域，除擴大企業(yè)級SSD供應外，將戰(zhàn)略重心轉向HBM、先進封裝及服務器DDR5等賽道。賽騰股份宣布其HBM檢測設備已獲海外大客戶批量訂單，國內市場開拓進行中；中微公司全面布局先進封裝領域，涵蓋刻蝕、CVD等關鍵設備；佰維存儲的晶圓級先進封測項目進入投產準備，旨在提供“存儲+封測”一體化解決方案。

許家源分析認為，盡管2026年HBM3e可能面臨供過于求，但技術門檻更高的HBM4仍將保持緊俏態(tài)勢。這場由AI驅動的行業(yè)變革，正在重塑全球存儲產業(yè)競爭格局。