存儲芯片市場正經歷一場由人工智能（AI）需求驅動的空前漲價潮，行業傳統供需格局被徹底打破。據產業鏈人士透露，本輪漲價周期自上半年啟動以來，進入第四季度后非但未放緩，反而因多重因素疊加呈現加速態勢，部分產品價格單周漲幅超過30%，形成行業罕見的"超級周期"。
CFM閃存市場最新數據顯示，DDR4 16Gb 3200現貨價格本周攀升至13美元，較上周暴漲30%；512Gb Flash晶圓價格10月累計漲幅超20%。某存儲模組廠員工透露，部分原廠已暫停DRAM和Flash產品報價，即便報價也僅維持"一日一價"的短暫有效期。TrendForce集邦咨詢分析師許家源預測，第四季度DRAM整體價格（含HBM）將環比增長13%-18%，其中DDR4供應緊缺或持續至2026年上半年。
這輪漲價的核心驅動力來自AI大模型引發的結構性供需失衡。摩根士丹利報告顯示，科技巨頭今年在AI基礎設施的投入預計達4000億美元，直接帶動HBM（高帶寬內存）需求激增。Yole Group預測，2025年HBM市場規模將接近340億美元，2030年前保持33%的年復合增長率，屆時營收將超過DRAM市場總規模的50%。由于HBM晶圓消耗量是標準DRAM的三倍以上，存儲巨頭被迫將產能向利潤更高的HBM和DDR5傾斜，導致DDR4、LPDDR4X等傳統產品出現"計劃性供應短缺"。
終端市場已明顯感受到成本壓力。小米集團創始人雷軍在社交媒體直言"內存漲價太多"，其新發布的Redmi K90系列手機部分版本售價較前代上調100-400元。小米總裁盧偉冰公開表示，存儲成本上漲幅度遠超預期且持續加劇，但公司仍希望通過誠意定價獲得消費者理解。威剛科技董事長陳立白則公開看好，認為第四季度才是存儲市場真正起漲點，2025年行業將迎來繁榮期。
面對供應鏈變革，下游廠商正在調整策略。PC制造商加速導入DDR5機型，而電視、網絡設備等消費領域則放緩從DDR3向DDR4的升級進程。江波龍證券部人士透露，公司因提前儲備存貨，上游漲價對毛利率形成正向貢獻。與之形成對比的是，朗科科技采取"清庫存"模式，庫存量低于行業平均水平以降低波動風險。
芯片設計企業和分銷商則更多依賴價格傳導機制。普冉股份證券部人士表示，公司正與下游客戶協商漲價，試圖通過博弈實現價格上調。香農芯創證券部人士稱，分銷業務毛利保持穩定，但采購成本上漲會同步傳導至下游，"行情影響更多體現在銷量變化，而非毛利率波動"。
國際原廠漲價效應已向國內產業鏈擴散。某國產存儲大廠人士透露，國外廠商提價促使部分客戶轉向國內晶圓廠，行業整體獲利空間顯著擴大。在此背景下，國內企業正加速布局高附加值領域：賽騰股份HBM檢測設備已獲海外大客戶批量訂單，國內市場開拓中；中微公司在先進封裝領域（含HBM工藝）完成刻蝕、CVD等設備全鏈條布局；佰維存儲的晶圓級先進封測項目進入投產準備，將提供"存儲+封測"一站式解決方案。
許家源分析指出，盡管預計2026年HBM3e可能面臨供過于求，但新一代HBM4因技術門檻高仍將保持供需緊張狀態。這場由AI引發的行業變革，正在重塑全球存儲產業格局，國產廠商能否抓住國際大廠產能調整的窗口期，將成為決定未來市場地位的關鍵。
