生成式人工智能技術的爆發(fā)式發(fā)展，為全球半導體產業(yè)注入了強勁增長動能。隨著AI算力需求的指數級攀升，高性能計算芯片與高帶寬存儲器（HBM）的市場規(guī)模持續(xù)擴張，帶動英偉達、SK海力士等國際廠商的財務數據顯著提升，行業(yè)格局正經歷深度調整。
在這場技術變革中，中國存儲芯片龍頭企業(yè)長江存儲正醞釀重大戰(zhàn)略轉型。據行業(yè)知情人士透露，這家以3D NAND閃存為核心產品的IDM企業(yè)，計劃將業(yè)務版圖拓展至動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）領域，尤其瞄準因AI算力需求激增而快速擴容的HBM細分市場。
作為國內規(guī)模最大的NAND閃存制造商，長江存儲已構建起覆蓋設計、制造、封裝測試的全產業(yè)鏈體系。其產品線涵蓋3D NAND晶圓、嵌入式存儲芯片，以及面向消費級與企業(yè)級市場的固態(tài)硬盤解決方案，產品廣泛應用于5G通信、消費電子、服務器集群及數據中心等關鍵領域。
多位產業(yè)分析師指出，長江存儲的轉型戰(zhàn)略具有顯著行業(yè)指向性。當前HBM存儲器因與AI處理器的高效協(xié)同特性，已成為訓練大模型的核心硬件基礎設施。該公司擬通過技術遷移，將已在NAND領域驗證的垂直整合能力復制至DRAM市場，這或將改變全球存儲器市場的競爭態(tài)勢。
最新動向顯示，長江存儲正在武漢規(guī)劃新的半導體生產基地，其中部分產能將專門用于DRAM制造。工商登記信息證實，該企業(yè)本月已在當地注冊成立全資子公司，注冊資本達207億元人民幣，為新業(yè)務布局提供資金保障。行業(yè)觀察家認為，此舉標志著中國存儲產業(yè)在突破技術壁壘后，正加速向高端市場發(fā)起沖擊。
