國內半導體設備領域迎來重大突破。微導納米近日宣布，其自主研發的國內首臺量產型High-k原子層沉積（ALD）設備已成功應用于集成電路制造前道生產線。該設備攻克了高介電常數柵氧層薄膜工藝這一制約國內集成電路產業發展的關鍵技術瓶頸，為突破關鍵制程節點提供了核心裝備支撐，標志著我國在半導體核心工藝裝備領域實現重要跨越。
在化學氣相沉積（CVD）設備領域，該公司同樣取得突破性進展。其研發的硬掩膜CVD設備成為國內首批通過產業鏈核心廠商量產線驗證的國產裝備，有效填補了國內在該關鍵工藝環節的技術空白。這一成果不僅提升了國產設備在半導體制造中的應用比例，更為國內產業鏈自主可控提供了重要保障。
技術覆蓋方面，微導納米已形成多領域技術布局。其核心解決方案可精準匹配邏輯芯片、存儲芯片、先進封裝、化合物半導體及新型顯示等領域的薄膜沉積需求，覆蓋從基礎工藝到前沿技術的全鏈條應用場景。通過持續優化半導體先進制程薄膜工藝，公司正推動國內半導體產業向新架構、新器件方向加速演進。
作為國內半導體設備創新的引領者，該公司始終聚焦前沿技術攻關。其研發的工藝解決方案不僅滿足了國內先進半導體技術的迭代需求，更通過產學研用深度融合，構建起覆蓋設備研發、工藝驗證到量產應用的完整創新體系，為推動我國半導體產業高質量發展注入強勁動能。
