9月25日，第四屆GMIF2025創新峰會在深圳萬麗灣酒店圓滿落幕。本屆峰會以“AI應用，創新賦能”為主題，匯聚全球存儲產業鏈上下游領軍企業、技術專家與行業領袖，共同探索AI驅動下存儲技術的演進路徑與產業機遇。三星電子副總裁、Memory事業部首席技術官Kevin Yoon發表題為《智構AI未來：開啟內存與存儲新紀元》的主題演講，深度剖析AI時代存儲技術挑戰與突破方向，重磅發布多項前沿解決方案。
三星電子副總裁、Memory事業部首席技術官Kevin Yoon
AI邁入智能體時代，存儲架構迎來范式重構
Kevin Yoon在演講中指出，AI技術正經歷從生成式AI(Generative AI)到智能體AI(Agentic AI)，并終將邁向物理AI(Physical AI)的演進歷程，當前行業已正式進入Agentic AI階段。這種具備自主推理與決策能力的智能體技術，在生成式AI基礎上被要求能夠維持多種狀態，并在不引入明顯延遲的情況下使用工具，推動全球數據量與計算需求呈爆發式增長。
"Agentic AI推理過程中，數據需更長時間留存以獲取最優結果，這直接導致內存容量需求激增。"Kevin Yoon強調，數據中心正加速向數據密集型計算方式轉型，在此背景下，存儲技術不再是后臺支撐設施，而成為決定AI系統效率與可擴展性的核心環節。傳統存儲架構正面臨帶寬需求指數級攀升、功耗觸及物理上限、延遲控制難度加大等多重挑戰，內存層級結構亟須重構以適配新一代智能基礎設施需求。
內存技術雙線突破：三星實現GDDR7量產與CXL生態引領
針對AI服務器的高帶寬需求，Kevin Yoon在演講中公開了三星在下一代內存技術上的突破性進展：行業首款24Gb容量GDDR7產品已實現量產，并與領先GPU合作伙伴達成深度協同。該產品融合尖端制程工藝與優化電路架構，傳輸速率高達42.5Gbps，相比上一代產品能效提升超30%，為AI訓練與圖形渲染提供關鍵支撐。
為了解決DRAM的容量限制，計算快速鏈路(CXL)內存擴展器作為一種很有潛力的解決方案正在興起。作為全球首個推出CXL產品的企業，三星自2021年起持續引領技術與生態發展，目前已實現DDR基CXL 2.0產品規模化量產。Kevin Yoon透露，隨著CXL 3.0時代到來，三星正開發支持多服務器實時內存共享的新型設備，計劃于明年推出兼容CXL 3.1與PCIe Gen 6.0的CMM-D解決方案，未來更將實現近內存處理引擎等全功能支持，進一步提升數據中心的靈活性與擴展性。
存儲三維創新：性能、密度與散熱的協同進化
在存儲領域，Kevin Yoon圍繞高性能、高密度、熱控制三大核心維度，系統闡述了三星的技術布局與產品路線圖。性能方面，針對PCIe接口代際升級帶來的技術挑戰，三星通過優化NAND與控制器協同設計，即將于2026年初推出PCIe Gen6 SSD產品PM1763。該產品在25W功耗限制下實現翻倍性能提升，能效比提升1.6倍，完美適配GPU密集型AI計算場景。
高密度存儲領域，三星展現了行業領先的技術實力：2025年已推出128TB U.2接口SSD產品，2026至2027年更計劃推出1T厚度的EDSFF形態產品，實現Gen5平臺256TB、Gen6平臺512TB的超高容量突破。這一系列突破得益于三星先進的32層堆疊封裝技術，結合EDSFF形態的輕薄設計優勢，可在有限空間內實現存儲密度與能效的雙重優化。
針對高性能存儲帶來的散熱挑戰，Kevin Yoon表示三星正從傳統風冷向液冷等直接冷卻技術轉型。通過將E1.S 8TB SSD厚度從15T縮減至9.5T等形態優化，結合冷板與外殼間熱阻最小化設計，確保下一代存儲產品在滿負荷運行時的系統穩定性。
定義新品類：內存級存儲開啟低延遲時代
面對AI推理場景中對小數據塊快速訪問的需求，三星提出“內存級存儲(Memory Class Storage)”這一全新技術品類，旨在突破傳統存儲與計算間的性能鴻溝。該技術以GPU主動直接存儲(GIDS)為典型應用，通過GPU與存儲的直接數據交互，大幅降低系統延遲。三星正在研發第七代Z-NAND技術，該技術是內存級存儲概念的核心載體。這款面向GIDS場景優化的存儲介質，其第三代產品將實現遠超行業標準的吞吐量表現，在保持超高性能的同時最大化能效。“內存級存儲將重新定義AI推理的響應速度標準，為實時智能應用提供關鍵支撐。”Kevin Yoon強調。
在演講結尾，Kevin Yoon表示，三星通過內存與存儲領域的全棧創新，不僅致力于解決AI時代的數據管理難題，更旨在解鎖AI技術的全部潛能。未來，三星將持續突破技術極限，與全球合作伙伴共建存儲生態，共同開啟AI賦能的智能未來。
殊榮加身：獲頒“杰出存儲技術引領獎”
第四屆GMIF2025創新峰會除了探討AI時代下存儲技術的演進與生態共建，同時對存儲領域過去一年涌現的杰出企業、創新技術、優秀方案等進行評優并于會上重磅發布評選結果。作為行業領軍者，三星半導體在DRAM與NAND領域持續實現重大技術迭代，于會上榮獲“杰出存儲技術引領獎”。
三星半導體榮獲“杰出存儲技術引領獎”
評委會特別指出，面對AI爆發對高帶寬、高能效存儲的迫切需求，三星率先實現HBM、DDR5、LPDDR5X及高層堆疊3D NAND等前沿技術的規模化量產與應用，極大地加速了大模型訓練、數據中心基礎設施升級及高端智能終端創新，為全球客戶提供了堅實的技術底座。
此次獲獎，是對三星半導體通過持續研發投入重塑存儲性能邊界、賦能全球數字化進程的充分肯定。三星半導體表示，將繼續引領存儲技術創新，為產業鏈上下游提供尖端解決方案，推動AI應用廣泛落地。
結語
本次峰會不僅匯聚了全球存儲產業鏈的精英，更通過三星電子副總裁Kevin Yoon的精彩演講，為行業揭示了AI驅動下存儲技術的未來發展方向。從Agentic AI的崛起，到GDDR7和CXL技術的突破，再到高性能、高密度存儲與散熱技術的協同進化，三星在存儲領域的創新成果令人矚目。而“內存級存儲”的提出，更是為AI推理場景帶來了全新的解決方案。
榮獲“杰出存儲技術引領獎”的三星半導體，不僅在技術上取得了顯著成就，更通過持續的研發投入，為全球數字化進程提供了堅實的技術支持。未來，三星將繼續攜手全球合作伙伴，共同探索存儲技術的無限可能，開啟AI賦能的智能未來。
