在HBM（高帶寬內(nèi)存）市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士與三星的角力持續(xù)升級(jí)。作為英偉達(dá)當(dāng)前HBM3E產(chǎn)品的主要供應(yīng)商，SK海力士已向其交付8層及12層堆疊的HBM3E芯片，并率先完成下一代HBM4的量產(chǎn)體系構(gòu)建。這一進(jìn)展使其在英偉達(dá)基于Rubin架構(gòu)的AI加速器供應(yīng)鏈中占據(jù)先機(jī)。

三星的追趕之路則充滿波折。盡管其12層堆疊HBM3E樣品在去年2月便已開發(fā)完成，但通過(guò)英偉達(dá)質(zhì)量認(rèn)證的過(guò)程耗時(shí)一年半。據(jù)TrendForce分析，這一突破既源于三星對(duì)HBM3E性能的持續(xù)優(yōu)化，也與英偉達(dá)推進(jìn)供應(yīng)商多元化的戰(zhàn)略需求密切相關(guān)。然而，有消息指出三星目前僅完成第二輪內(nèi)部晶圓驗(yàn)收測(cè)試，尚未獲得英偉達(dá)的最終批準(zhǔn)。

技術(shù)迭代成為競(jìng)爭(zhēng)關(guān)鍵。三星今年第二季度推出的HBM4樣品雖已通過(guò)英偉達(dá)初步測(cè)試，但仍需完成最終驗(yàn)證。其優(yōu)勢(shì)在于采用4nm工藝制造基礎(chǔ)裸片，并搭配第六代10nm級(jí)（1αnm）工藝DRAM芯片，相比SK海力士第五代10nm級(jí)（1βnm）工藝更具性能潛力。特別是針對(duì)HBM3E的發(fā)熱問(wèn)題，三星通過(guò)去年5月啟動(dòng)的設(shè)計(jì)更新，成功解決了技術(shù)瓶頸。

市場(chǎng)壓力促使技術(shù)規(guī)格不斷攀升。英偉達(dá)近期要求供應(yīng)商將HBM4速度從8Gb/s提升至10Gb/s，以應(yīng)對(duì)AMD明年推出的Instinct MI450計(jì)算卡及"Helios"AI機(jī)架系統(tǒng)的挑戰(zhàn)。這一需求為三星提供了反超契機(jī)——其HBM4在工藝制程上的領(lǐng)先性，可能幫助其滿足英偉達(dá)對(duì)性能的嚴(yán)苛要求。

當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)格局呈現(xiàn)雙雄并立態(tài)勢(shì)。SK海力士憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)占據(jù)市場(chǎng)主動(dòng)，而三星通過(guò)技術(shù)迭代與工藝升級(jí)持續(xù)施壓。隨著AI計(jì)算對(duì)內(nèi)存帶寬需求的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，HBM市場(chǎng)的技術(shù)競(jìng)賽已進(jìn)入白熱化階段，兩大存儲(chǔ)巨頭的每一次突破都將重塑產(chǎn)業(yè)格局。